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Si4818DY
Vishay Siliconix
CHANNEL-1 TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
30
24
18
12
V GS = 10 V thru 4 V
3V
30
24
18
12
6
6
T C = 125 °C
0
1V
2V
0
25 °C
- 55 °C
0
2
4
6
8
10
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.05
0.04
0.03
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
V GS = 4.5 V
1000
800
600
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
C iss
0.02
0.01
V GS = 10 V
400
200
C oss
C rss
0.00
0
0
6
12
18
24
30
0
6
12
18
24
30
10
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1.8
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
V DS = 15 V
I D = 6.3 A
1.6
V GS = 10 V
I D = 6.3 A
8
1.4
6
4
1.2
1.0
0.8
2
0.6
0
0.4
0
3
6
9
12
15
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 71122
S09-0867-Rev. C, 18-May-09
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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